元器件信息庫 23LCV1024-I/SN
十月 10 2022
23LCV1024-I/SN數據手冊PDF
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描述
23LCV1024-I/SN是一款1MbSPI串行串行內存，具有備用電池和SDI接口。存儲器通過簡單的串行外設接口(SPI)兼容串行總線進行訪問。所需的總線信號是時鐘輸入(SCK)以及單獨的數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線路。對設備的訪問通過芯片選擇(CS)輸入進行控制。此外，如果應用需要更快的數據速率，則支持SDI(串行雙接口)。SRAM可以通過Vbat引腳進行電池備份，基本上使SRAM非易失性。該器件還支持對陣列的無限讀取和寫入周期。
產品概述
 產品型號 | 23LCV1024-I/SN |
| 制造商 | 微芯科技 |
| 分類 | 集成電路(IC)，記憶力 |
| 描述 | IC 靜態存儲器 1MB 螺旋/雙通道 I/O 8SOIC |
| 打包 | 管 |
| 工作溫度 | -40°C~85°C |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 包裝/箱 | 8-SOIC（0.154“，3.90mm寬） |
| 供應商設備包 | 8-固態 |
| 基本產品編號 | 23LCV1024 |
產品圖片
23LCV1024-I/SN
規格參數
| 產品狀態 | 在售 |
| 內存類型 | 揮發性的 |
| 內存格式 | 靜態內存 |
| 科技 | 靜態內存-同步 |
| 內存大小 | 1Mb（128Kx8） |
| 內存接口 | SPI-雙輸入/輸出 |
| 時鐘頻率 | 20兆赫 |
| 電壓-電源 | 2.5V~5.5V |
| 案例/包裝 | 斷續器 |
| 引腳數 | 8 |
| 訪問時間 | 25納秒 |
| 地址總線寬度 | 24字節 |
| 密度 | 1毫巴 |
| 頻率 | 20兆赫 |
| 接口 | 斷續器 |
| 最大頻率 | 20兆赫 |
| 最高工作溫度 | 85 °C |
| 最大電源電壓 | 5.5V |
| 內存大小 | 128千字節 |
| 內存類型 | 非易失性、內存、靜態存儲器 |
| 最低工作溫度 | -40°C |
| 最小電源電壓 | 2.5V |
| 標稱電源電流 | 10毫安 |
| 端口數 | 1 |
| 同步/異步 | 同步 |
| 字大小 | 8字節 |
| 高度 | 1.25毫米 |
| 長度 | 4.9毫米 |
| 寬度 | 3.9毫米 |
環境與出口分類
| 屬性 | 描述 |
| 無鉛 | 無鉛 |
| 輻射硬化 | 否 |
| REACH SVHC | 無SVHC |
特點
SPI兼容型總線接口-20MHz時鐘速率，SPI/SDI模式
低功耗CMOS技術
3mA@3.6V，20MHz讀取電流
4μA@+85°C最大待機電流
無限制讀寫周期
零寫入時間
32字節頁面
通過Vbat引腳支持電池備份SRAM，自動切換到Vbat
順序模式讀寫
高可靠性
應用領域
通信與網絡
引腳圖
CAD模型
23LCV1024-I/SN符號
23LCV1024-I/SN焊墊
23LCV1024-I/SN 3D模型
封裝
23LCV1024-I/SN封裝
替代型號
| 型號 | 制造商 | 品名 | 描述 |
| 23LCV1024-I/P | 微芯科技 | RAM芯片 | 芯片,存儲器,SRAM,串行口,1MB,2.5-5.5V,8PDIP |
| 23LC1024T-I/SN | 微芯科技 | 存儲芯片 | SRAM,1Mbit,128Kx8位,2.5V至5.5V,SOIC,8引腳 |
| 23LCV1024T-I/SN | 微芯科技 | 存儲芯片 | 3.3V/5V 1M-Bit 128K x 8 25ns 8Pin SOIC N T/R |
PDF資料
應用筆記
產品制造商介紹
Microchip Technology股份有限公司是一家美國上市公司，生產微控制器、混合信號、模擬和閃存IP集成電路。其產品包括微控制器(PIC、dsPIC、AVR和SAM)、串行EEPROM設備、串行SRAM設備、嵌入式安全設備、射頻(RF)設備、熱、功率和電池管理模擬設備，以及線性、接口和無線產品。
